- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPP11N60S5
SPP11N60S5 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPP11N60S5 |
|---|---|
| حجم فایل | 75.222 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 12 |
دانلود دیتاشیت SPP11N60S5 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPP11N60S5
- Power Dissipation (Pd): 125W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 11A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@500uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,7A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies